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J-GLOBAL ID：200903081264879464

電子材料用洗浄水

Inventor： 森田 博志 ,  井田 純一 ,  水庭 哲夫
Applicant, Patent owner： 栗田工業株式会社
Agent (1)： 内山 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998006221
Publication number (International publication number)：1999204485
Application date： Jan. 16, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】電子材料のウェット洗浄において、金属不純物や自然酸化膜とともに、微粒子汚染も同時に除去することができる電子材料用洗浄水を提供する。【解決手段】フッ化水素及び水素ガス、フッ化水素及び酸素ガス、フッ化水素、塩化水素若しくは硝酸及び水素ガス、又は、フッ化水素、塩化水素若しくは硝酸及び酸素ガスを溶解した水溶液からなることを特徴とする電子材料用洗浄水。

Claim (excerpt)：

フッ化水素及び水素ガスを溶解した水溶液からなることを特徴とする電子材料用洗浄水。

IPC (3)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7/02

FI (3)：

H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/08 Z ,  C11D 7/02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-018994   Applicant：森田化学工業株式会社
• 半導体基板エッチング方法及び装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-512110   Applicant：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
• 半導体用治工具の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-213872   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特開平3-228327
  
• 半導体装置の洗浄方法及びその評価方法、処理装置、並びに水の溶存酸素量の制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-193929   Applicant：富士通株式会社
• シリコンウエーハ表面の酸化膜の膜厚測定方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-237769   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 金属不純物除去方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-230699   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体製造システム及びクリーンルーム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-220793   Applicant：大見忠弘

Cited by examiner (2)

• 二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-018994   Applicant：森田化学工業株式会社
• 半導体基板エッチング方法及び装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-512110   Applicant：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド