Pat
J-GLOBAL ID:200903092827437635
2次元画像読取装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鹿嶋 英實
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999271589
Publication number (International publication number):2001092951
Application date: Sep. 27, 1999
Publication date: Apr. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】 フォトセンサデバイス上に形成される透明導電膜に起因する層間ショートや寄生容量の発生を抑制して、読取誤動作や検出感度の低下、デバイスの破損等を防止することができる2次元画像読取装置を提供する。【解決手段】 2次元画像読取装置は、Wゲート型トランジスタ10Fを複数個、ガラス基板19上にマトリクス状に配列して形成されたフォトセンサデバイス100Aと、Wゲート型トランジスタ10Fを被覆して形成された保護絶縁膜の表面に所定のパターンで形成された透明導電膜23Aと、フォトセンサデバイス100Aの背面側に配置され、フォトセンサデバイス100A上面側に設けられた検出面20aに接触した被検出体に均一な光を照射する面光源30と、を有して構成され、透明導電膜23Aは、Wゲート型トランジスタ10F相互の間隙領域の直上にのみ形成されている。
Claim (excerpt):
絶縁性基板の一面側にマトリクス状に配列された複数のフォトセンサと、該複数のフォトセンサを被覆するように形成された透光性絶縁膜とを有するフォトセンサデバイスを備えた2次元画像読取装置において、前記フォトセンサの各々が形成された領域相互の間隙領域を被覆するように形成された前記透光性絶縁膜の上面にのみ、導電部が形成されていることを特徴とする2次元画像読取装置。
IPC (4):
G06T 1/00
, G01B 11/24
, H01L 27/146
, H01L 27/14
FI (4):
G06F 15/64 G
, G01B 11/24 F
, H01L 27/14 C
, H01L 27/14 D
F-Term (29):
2F065AA56
, 2F065CC00
, 2F065DD16
, 2F065GG21
, 2F065JJ03
, 2F065JJ26
, 2F065MM22
, 2F065UU02
, 4M118AA05
, 4M118AA08
, 4M118AB10
, 4M118BA05
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA09
, 4M118CA32
, 4M118CB06
, 4M118CB14
, 4M118DB01
, 4M118DD12
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118GA02
, 4M118GA03
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 5B047AA25
, 5B047BB04
, 5B047BC14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
2次元イメージセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-283514
Applicant:富士ゼロックス株式会社
-
密着型イメージセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-344933
Applicant:日本電気株式会社
Cited by examiner (2)
-
2次元イメージセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-283514
Applicant:富士ゼロックス株式会社
-
密着型イメージセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-344933
Applicant:日本電気株式会社
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