半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995224149
Publication number (International publication number)：1997069667
Application date： Aug. 31, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 p型クラッド層のZnの拡散に起因する素子特性の劣化を防ぎ、素子寿命にも優れた半導体レーザ装置を制御性および歩留り良く製造する。【解決手段】 p型AlGaAs第2クラッド層105とn型GaAs電流阻止層109との間に、Cドープ層106が形成されている。n型電流阻止層109で生成した格子間Gaの拡散がCドープ層106により抑制されるので、p型第2クラッド層105中のZnの異常拡散を抑止できる。活性層104に隣接するp型第2クラッド層105にはZnがドープされてCがドープされていないので、結晶欠陥が導入されにくい。

Claim (excerpt)：

n型半導体基板上に、n型第1クラッド層と活性層とp型第2クラッド層とが基板側からこの順に形成され、該第2クラッド層上に、ストライプ状溝部を有するn型電流阻止層が形成され、該ストライプ状溝部上および該電流阻止層上に渡ってp型第3クラッド層が形成されている半導体レーザ装置において、該第2クラッド層と該電流阻止層との間に、不純物として少なくとも炭素を含有する半導体層が形成されている半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018476 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-213886
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-195627 Applicant：三井石油化学工業株式会社

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Cited by examiner (2)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018476 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-213886

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