シリコン酸化膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993265898
Publication number (International publication number)：1995106593
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 TFT等のゲート絶縁膜等として用いられるSiO2 等の酸化膜の形成に際し、良好な酸化膜をその必要に応じて、即ち精度良くまたは効果的に、薄膜または厚膜等の所望に応じたものを形成する方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜5を形成する方法において酸化用ガスIIとして、N2O,NO、NO2 ,N2 O3 等の窒素の酸化物の少なくとも1種のガスに必要に応じO3 等を加えたものを含む酸化用ガスを用い、高密度プラズマIを用いるなどしてシリコン酸化膜を形成する方法。

Claim (excerpt)：

シリコン酸化膜を形成する方法において、酸化用ガスとして、窒素の酸化物から成る群から任意に選ばれた少なくとも1種のガスを含む酸化用ガスを用いることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 29/78 311 G , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-038829
絶縁膜を形成する方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-274819 Applicant：株式会社ジーテイシー
特開平4-043642

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