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J-GLOBAL ID：200903092849396444
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996254074
Publication number (International publication number)：1998106255
Application date： Sep. 26, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】磁気抵抗の変化により情報を記憶する記憶装置において、低消費電力でありかつセンス感度の高い記憶装置の提供。又、装置の微細化が進んでも、隣接する記憶セル間で漏れ磁界によるデータの破壊が少ない記憶装置の提供。【解決手段】複数のビット線33と、複数のワード線32、33と、前記ビット線と前記ワード線とが交叉する領域でビット線33に接続され、ビット線電流或はワード線電流により引き起こされる磁界により磁気抵抗効果が起こる膜34で構成されるメモリセルからなる半導体記憶装置において、前記各ワード線32、33は、同一方向に、平行に、上下に分離され積層された複数のワード線配線層で構成され、前記複数のワード線配線層は、直列接続される。
Claim (excerpt)：
複数本のビット線と、前記ビット線と交叉すると共に、互いに直列接続する平行な複数層のワード線層からなる複数本のワード線と前記ビット線と前記ワード線の交叉する領域に形成され、前記ビット線に直列接続する磁気抵抗効果膜を備える複数のメモリセルとが備えられたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
G11C 11/14
, H01L 27/10 451
G11C 11/14 F
, H01L 27/10 451
