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J-GLOBAL ID：200903092877444578

ヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置

Inventor：
田村 幸男

About 田村 幸男


Applicant, Patent owner：
株式会社後藤製作所

About 株式会社後藤製作所


Agent (1)： 大塚 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997251446
Publication number (International publication number)：1999087573
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】ヒートシンクの露出側面を、それを実装するプリント回路基板に接触させて高い放熱効率が得られ、プリント回路基板上への実装時に、接着剤塗布等の追加的手数を要さず、しかも実装後に、半導体装置の搭載部位に形成された配線を短絡させるおそれのない半導体装置を提供する。【解決手段】ヒートシンク4の露出側面4aに、アルミナの溶射膜から成る電気絶縁層10を形成して樹脂封止型半導体装置1を構成する。実装状態で、ヒートシンク4の露出側面4aが、プリント回路基板11に接触するから、半導体ダイ2からの発熱を、ヒートシンク4を介してプリント回路基板11に伝え、実質的な放熱面積を増大させて放熱性能を向上させる。ヒートシンク4の露出側面4aが、プリント回路基板11上の配線12に接触しても、電気絶縁層10によって電気的に絶縁されるので短絡のおそれがない。アルミナの溶射膜から成る電気絶縁層10は優れた電気絶縁性と耐熱性とを有する。
Claim (excerpt)：
封止樹脂の内部に封入された半導体ダイから生じる熱を外部へ放出するための導電性で良熱伝導性のヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置であって、ヒートシンクの少なくとも一部に、封止樹脂から露出した露出面を有するものにおいて、前記ヒートシンクの露出面に、無機物質から成る良熱伝導性の電気絶縁層が形成されていることを特徴とするヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/36 ,  H05K 7/20
FI (3)：
H01L 23/36 A ,  H05K 7/20 C ,  H01L 23/36 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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