半導体記憶装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994223580
Publication number (International publication number)：1996088332
Application date： Sep. 19, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】信頼性の高いトレンチ型キャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法を提供する。【構成】SOI基板の一導電型半導体層に素子分離層を形成する工程と、素子分離層が形成された前記SOI基板にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタの側面に絶縁膜を形成する工程と、前記トランジスタ上の所定のトレンチパターンをマスクとして前記SOI基板のバルクSi部にトレンチ孔を形成する工程と、前記トレンチ孔の内部側面に絶縁膜を形成する工程と、前記SOI基板の一導電型半導体層に導通するように、前記トレンチ孔の内部を導電材で充填してトレンチキャパシタを形成する工程とを具備する。

Claim (excerpt)：

バルクSi部と、このバルクSi部上に形成された第1の絶縁層、及びこの第1の絶縁層上に形成された一導電型半導体層からなる基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタの側面に第2の絶縁層を形成する工程と、前記トランジスタ上の所定のパターンをマスクとして前記基板のバルクSi部にトレンチ孔を形成する工程と、前記トレンチ孔の内部側面に第3の絶縁層を形成する工程と、前記基板の一導電型半導体層に導通するように、前記トレンチ孔の内部を導電材で充填してトレンチキャパシタを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 27/10 671 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 625 A , H01L 29/78 613 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-002374
特開平2-130871
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-003931 Applicant：株式会社東芝

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