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J-GLOBAL ID：200903093062192201

炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置

Inventor：
二ツ山 幸樹

About 二ツ山 幸樹

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原 一都

About 原 一都

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恩田 正一

About 恩田 正一

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小栗 英美

About 小栗 英美


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000005958
Publication number (International publication number)：2001192299
Application date： Jan. 07, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 供給される原料ガスの時間変動を安定させられる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 るつぼ1の内部で、Si含有ガス及びC含有ガスをSiC種結晶3に輸送して、該SiC種結晶3上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、Si含有ガス供給源となるSi原料4とC含有ガス供給源となるC原料5とを分離配置させ、Si原料4から蒸発したSi含有ガスがC原料5と接したのち、SiC種結晶3に供給されるようにする。このように、Si原料4とC原料5を用い、成長時にSi原料4から安定してSi含有ガスを蒸発させることにより、蒸発したSi含有ガスがC原料5の表面の炭素と反応してSi2C、SiC2となり、Cを安定してSiC種結晶3に供給することができる。これにより、供給される原料ガスの時間変動を安定させることができる。
Claim (excerpt)：
るつぼ(1)の内部で、珪素含有ガス及び炭素含有ガスを炭化珪素種結晶(3)に輸送して、該炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記珪素含有ガス供給源となる珪素原料(4)と前記炭素含有ガス供給源となる炭素原料(5)とを分離配置させ、前記珪素原料から蒸発した珪素含有ガスが前記炭素原料と接したのち、前記炭化珪素種結晶に供給されるようにすることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
F-Term (7)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EC05 ,  4G077EG25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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