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J-GLOBAL ID：200903058697760753

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 小巻 邦雄 ,  山本 勇 ,  小柳 直樹
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998005018
Publication number (International publication number)：1999199395
Application date： Jan. 13, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 昇華法により結晶欠陥、インクルージョンの少ない高品質の炭化珪素単結晶の製造法を提供する。【解決手段】 種基板結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華法に於いて、金属炭化物で被覆されたルツボを用い、該ルツボ内の珪素原料からの加熱蒸発ガスを加熱された炭素材に接触させた後に前記種結晶基板上に到達させて炭化珪素単結晶を析出させる方法である。

Claim (excerpt)：

種基板結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華法に於いて、金属炭化物で被覆されたルツボを用い、該ルツボ内の珪素原料からの加熱蒸発ガスを加熱された炭素材に接触させた後に前記種結晶基板上に到達させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭化ケイ素単結晶製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-140143   Applicant：日新製鋼株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-075775   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-103719   Applicant：株式会社豊田中央研究所