Pat

J-GLOBAL ID：200903093064407914

ナノファイバーパターン基材及び該基材を用いた成型体

Inventor： 近藤 哲司 ,  三和 敬史
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005229788
Publication number (International publication number)：2007044149
Application date： Aug. 08, 2005
Publication date： Feb. 22, 2007
Summary：

【課題】 パターンに従って細胞の接着、増殖、移動、分化など様々な機能を制御できる基材を提供する。【解決手段】 表面に有機系ナノファイバーを含むパターンを形成させたことを特徴とする基材を提供する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

表面に有機系ナノファイバーを含むパターンを形成させたことを特徴とする基材。

IPC (5)：

A61L 27/00 ,  B82B 3/00 ,  D01F 6/90 ,  C12M 3/00 ,  D04H 1/42

FI (5)：

A61L27/00 Y ,  B82B3/00 ,  D01F6/90 311B ,  C12M3/00 A ,  D04H1/42 X

F-Term (25)：

4B029AA08 ,  4B029BB11 ,  4B029CC08 ,  4B029GB04 ,  4B029GB10 ,  4C081AA12 ,  4C081AA14 ,  4C081AB01 ,  4C081AB11 ,  4C081AB36 ,  4C081CA18 ,  4C081CA23 ,  4C081CB01 ,  4C081DA04 ,  4L035AA05 ,  4L035AA06 ,  4L035BB31 ,  4L035DD01 ,  4L035DD13 ,  4L035FF01 ,  4L035LC07 ,  4L047AA21 ,  4L047AA23 ,  4L047AB08 ,  4L047CC03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 熱CVD法によるグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-307959   Applicant：株式会社アルバック