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J-GLOBAL ID：200903020261000659

熱CVD法によるグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法

Inventor：
平川 正明

About 平川 正明

, 
村上 裕彦

About 村上 裕彦


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (1)： 北村 欣一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000307959
Publication number (International publication number)：2002115057
Application date： Oct. 06, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 炭素系電子放出源となり得るグラファイトナノファイバー薄膜を選択的に形成せしめる方法の提供。【解決手段】 ガラス基板又はSi基板上に、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種を含んだ合金の薄膜を所定のパターンに形成せしめた被処理基板を、真空排気した真空チャンバー内に載置し、該基板を加熱した後、炭素含有ガス及び水素ガスを該チャンバー内へ導入し、該チャンバー内の圧力をほぼ1気圧に維持して、該基板上のパターン部分のみに熱CVD法によりグラファイトナノファイバーを均一に成長せしめる。
Claim (excerpt)：
ガラス基板又はSi基板上に、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種を含んだ合金の薄膜を所定のパターンに形成せしめた基板を被処理基板とし、熱CVD法により、炭素含有ガス及び水素ガスを用いて、該被処理基板上のパターン部分のみにグラファイトナノファイバーを均一に成長せしめ、グラファイトナノファイバー薄膜を得ることを特徴とするグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法。
IPC (5)：
C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  D01F 9/133 ,  H01J 9/02
FI (5)：
C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/133 ,  H01J 9/02 B
F-Term (35)：
4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CB03 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4G046EA06 ,  4G046EB04 ,  4G046EB13 ,  4G046EC01 ,  4G046EC03 ,  4G046EC06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4L037CS04 ,  4L037FA03 ,  4L037FA05 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA06 ,  4L037PA17 ,  4L037PA18 ,  4L037UA02 ,  4L037UA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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