Pat

J-GLOBAL ID：200903093076180710

減圧処理装置

Inventor： 伝宝 一樹 ,  木村 英利 ,  小林 功
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114261
Publication number (International publication number)：1997283498
Application date： Apr. 10, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 減圧雰囲気下で被処理基板に対して処理ガスを供給して処理する場合、被処理基板が大型化したり、真空度が高くなった場合でも、被処理基板の中心部と周縁部との圧力差を緩和して、処理の均一性を良好に保つ。【解決手段】 処理容器内に設けられてウエハWを載置するサセプタ6に対向する上部電極51に、処理ガスを供給する供給口51aを形成する。サセプタ6のの下方周辺部から排気するだけでなく、上部電極51における周辺部に、供給口51aと混在して別途排気口51bを形成し、この排気口51bからも排気する。

Claim (excerpt)：

処理容器内に設けられた載置台の下方周辺部から排気可能であり、かつ処理容器内の上部に前記載置台と対向して設けた処理ガス供給部から、前記載置台上の被処理基板に向けて処理ガスを供給し、所定の減圧雰囲気の下で前記被処理基板に対して処理を施す装置において、被処理基板上の圧力を制御する排気部を、前記処理ガス供給部の周辺部に設けたことを特徴とする、減圧処理装置。

IPC (9)：

H01L 21/3065 ,  B01J 3/03 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/44 ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203

FI (9)：

H01L 21/302 B ,  B01J 3/03 J ,  C23C 14/34 M ,  C23C 16/44 D ,  C23F 1/00 104 ,  C23F 4/00 A ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092304   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
• 特開昭61-064122