半導体製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小川勝男 , 田中恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002379618
Publication number (International publication number)：2004214283
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】半導体製造装置において、真空断熱構造にすることで断熱効率の向上及び断熱構造自体の熱容量の低減を図りつつ、安価に製作することができると共に反応管内の加熱効率を向上できるようにする。【解決手段】半導体製造装置1は、上面および側面を一体に形成し且つ下面を開口した筒状の反応管20と、ウエハを装填して反応管20内に収納されるボートと、反応管の内部を加熱するヒータ2と、反応管20の周囲を覆うように形成される真空断熱層70とを備える。真空断熱層70は、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の内側真空容器73と、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の外側真空容器74とを下端部で密着シールして組み合わせ、その内部空間を真空状態とすることにより形成する。ヒータ2は真空断熱層70と反応管20との間に配置する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

上面および側面を一体に形成し且つ下面を開口した筒状の反応管と、ウエハを装填して前記反応管内に収納されるボートと、前記反応管の内部を加熱するヒータと、前記反応管の上面および側面の周囲を覆うように形成される真空断熱層とを備え、前記真空断熱層は、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の内側真空容器と、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の外側真空容器とを下端部で密着シールして組み合わせ、その内部空間を真空状態とすることにより形成し、前記ヒータは前記真空断熱層と前記反応管との間に配置したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L21/205 , C23C16/46 , H01L21/22

FI (3)：

H01L21/205 , C23C16/46 , H01L21/22 511A

F-Term (20)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030KA04 , 4K030KA09 , 4K030KA10 , 4K030KA12 , 4K030KA23 , 4K030KA26 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB02 , 5F045EB10 , 5F045EC01 , 5F045EG03 , 5F045EJ04 , 5F045EK24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-137416
熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-099348 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平4-306822

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