半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067477
Publication number (International publication number)：1993275809
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】長寿命化をはかる。【構成】活性層3からドーパントを有するクラッド層21,22を離間して設け、このクラッド層と活性層との間にこのクラッド層に対する少数キャリアの進入を制御する多量量子井戸もしくは多量量子障壁構造部11,12を設ける。

Claim (excerpt)：

少なくとも活性層と、該活性層を挟んでp型クラッド層とn型クラッド層とを有してなる半導体発光素子において、上記活性層から離れてp型ドーパントがドープされた上記p型クラッド層が配置され、上記活性層と上記p型ドーパントがドープされたp型クラッド層側との間に電子に対し透過率の低い多重量子井戸もしくは多重量子障壁構造部が設けられてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭64-007587
特開平4-218994
量子バリア半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320977 Applicant：古河電気工業株式会社

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Cited by examiner (5)

特開昭64-007587
特開平4-218994
量子バリア半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320977 Applicant：古河電気工業株式会社

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