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J-GLOBAL ID:200903093114880896

窒化珪素回路基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995319368
Publication number (International publication number):1997162325
Application date: Dec. 07, 1995
Publication date: Jun. 20, 1997
Summary:
【要約】【課題】 機械的特性、熱抵抗、安全性の総合評価に優れた窒化珪素回路基板を提供すること。【解決手段】 窒化珪素基板に金属回路もしくは金属回路と金属放熱板が活性金属を含む接合層を介して形成されてなるものであって、上記接合層の厚みが20μm以下でかつ金属回路及び金属放熱板の酸素含有量が50ppm以下であることを特徴とする窒化珪素回路基板。
Claim (excerpt):
窒化珪素基板に金属回路もしくは金属回路と金属放熱板が活性金属を含む接合層を介して形成されてなるものであって、上記接合層の厚みが20μm以下でかつ金属回路及び金属放熱板の酸素含有量が50ppm以下であることを特徴とする窒化珪素回路基板。
IPC (4):
H01L 23/15 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/38
FI (4):
H01L 23/14 C ,  C04B 37/02 B ,  H05K 3/06 C ,  H05K 3/38 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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