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J-GLOBAL ID：200903093165035457

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 岩戸 薫
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005282114
Publication number (International publication number)：2007093910
Application date： Sep. 28, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造に於いて、感度、露光ラチチュード、パターン倒れについて、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)一般式(S1)で表される環状スルホンアミド部分構造を含む、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)一般式(S1)で表される部分構造を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/38

FI (3)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/38

F-Term (24)：

2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100BC83P ,  4J100BC84P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-209680   Applicant：富士写真フイルム株式会社