ゴム・樹脂にダイヤモンド状炭素膜を形成する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996227456
Publication number (International publication number)：1998053870
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【目的】ゴムや樹脂など柔軟で弾性に富む材料の上にダイヤモンド状炭素膜を被覆する事。【構成】電子線、紫外線をゴム、樹脂に照射し未結合原子を表面に多数分布させ、フッ素系ガス、水素ガスのプラズマによって処理して表面を不純物汚染から守り、その後炭化水素を含むガスを供給しつつプラズマCVD法、イオンプレーティング法、スパッタリング法によってダイヤモンド状炭素膜を被覆する。

Claim (excerpt)：

基材であるゴム或いは樹脂に紫外線または電子線或いは両方を照射して表面に未結合炭素原子を生成したのち、炭化水素ガスを原料として供給しこれを励起して気相反応させ、ゴム或いは樹脂の表面にダイヤモンド状炭素膜を形成するようにした事を特徴とするゴム・樹脂にダイヤモンド状炭素膜を形成する方法。

IPC (5)：

C23C 16/02 , C08J 7/00 303 , C08J 7/06 CEQ , C23C 16/26 , C30B 29/04

FI (5)：

C23C 16/02 , C08J 7/00 303 , C08J 7/06 CEQ Z , C23C 16/26 , C30B 29/04 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平1-306567
特開昭61-146791
特開平1-188675

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Cited by examiner (5)

特開平1-306567
特開昭61-146791
特開平1-188675

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