金属膜付シリコンウエハーの再生方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小堀益 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998339306
Publication number (International publication number)：2000164558
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】再生時の基板厚さの減少を最小限に留め、従来に比較して飛躍的に多数回の再生が可能な金属膜付シリコンウエハーの再生方法の提供。【解決手段】再生対象となるシリコンテストウエハーとして金属膜の下層に3000オングストローム以上の酸化膜を形成したものを使用し、再生に際して、アルカリ系溶液、または酸性溶液による化学的エッチングによって金属膜全部と最小限の酸化膜一部を除去し、さらに、酸性溶液による化学的エッチングによって酸化膜表面の金属汚染物質を除去する。

Claim (excerpt)：

金属膜の成膜工程のテストウエハーの金属膜の下層に酸化膜を形成し、アルカリ系溶液または酸性溶液による化学的エッチングによって金属膜全部と最小限の酸化膜一部を除去し、さらに、酸性溶液による化学的エッチングによって酸化膜表面の金属汚染物質を除去する金属膜付シリコンウエハーの再生方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 , H01L 21/308

FI (3)：

H01L 21/306 D , H01L 21/308 F , H01L 21/308 E

F-Term (6)：

5F043AA22 , 5F043AA28 , 5F043AA31 , 5F043BB15 , 5F043BB21 , 5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体熱処理用ダミーウエハ及びその再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-314312 Applicant：東芝セラミックス株式会社
特開平1-235337
特開昭63-303084

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