金属酸化物膜付き基板及び金属酸化物膜付き基板の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅原正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000188212
Publication number (International publication number)：2002009355
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】クラック等の不具合が生じ難く、精密な膜厚コントロールのなされた金属酸化物膜を備える基板、及びその基板の製造方法を提供する。【解決手段】金属酸化物膜付き基板1は電気的デバイスの構成要素となるべき基板本体1の表面に酸化物薄膜の形成領域となる所定深さの凹部10を形成するとともに、該凹部10にゾルゲル法により金属酸化物原料を充填することで凹部の深さに応じた厚さの原料塗布層を形成し、該原料塗布層を焼成することで原料塗布層の厚さに対応した厚さの金属酸化物膜30を形成する。凹部の深さを厳密にコントロールすることにより、その凹部深さに対応した膜厚の金属酸化物膜30が得られるため膜厚の精密なコントロールが可能となる。

Claim (excerpt)：

電気的デバイスの構成要素となるべき基板本体及びその基板本体の表面上に形成される金属酸化物膜を有するとともに、前記基板本体表面の前記金属酸化物膜の形成領域に所定深さの凹部が形成され、その凹部内に凹部深さに対応した厚さを有する前記金属酸化物膜が形成されていることを特徴とする金属酸化物膜付き基板。

IPC (6)：

H01L 41/08 , H01L 21/02 , H01L 41/187 , H01L 41/22 , H03H 3/02 , H03H 9/17

FI (8)：

H01L 21/02 B , H03H 3/02 B , H03H 9/17 F , H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 B , H01L 41/18 101 C , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 Z

F-Term (2)：

5J108MM08 , 5J108MM11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電界効果型半導体メモリ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-230556 Applicant：日本電気株式会社
基板被膜の端縁部除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-261134 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-057846 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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