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J-GLOBAL ID：200903093279331927

半導体装置の製造方法

Inventor： 松元 省二 ,  二河 秀夫 ,  中川 聡
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994324929
Publication number (International publication number)：1995235527
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 白金のエッチング速度を速くし、製造装置のスループットを向上させる。【構成】 上電極1a、下電極3aを構成する上電極用白金膜1または下電極用白金膜3をレジスト膜5,6で覆ってから、硫黄を含むエッチングガス、たとえばS2Cl2、SF6、S2F2、Cl2とS2Cl2との混合ガス、もしくはHBrとH2SあるいはSO2との混合ガスを用いて、レジスト膜5,6で覆われていない部分に白金と硫黄との化合物を生成させてエッチングする。あるいは、白金膜1,3のエッチングすべき領域にイオン注入法で硫黄を注入して、硫黄と白金との化合物を形成した後に、この領域部分をドライエッチングする。

Claim (excerpt)：

回路素子や配線等が形成された基板上に絶縁膜、下電極用白金膜、誘電体膜および上電極用白金膜を形成し、前記上電極用白金膜および誘電体膜を選択的にドライエッチングした後、下電極用白金膜を選択的にドライエッチングして容量素子を構成させる半導体装置の製造方法であって、前記下電極または上電極を構成する白金のドライエッチングにおいて白金と硫黄の化合物を形成しながら白金化合物をドライエッチングし、または白金と硫黄からなる化合物を形成した後、白金化合物をドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302703   Applicant：三菱電機株式会社