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J-GLOBAL ID：200903093279784174

半導体製造装置および半導体製造方法

Inventor：
津守 利郎

About 津守 利郎


Applicant, Patent owner：
株式会社ニューフレアテクノロジー

About 株式会社ニューフレアテクノロジー


Agent (1)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008047946
Publication number (International publication number)：2009206333
Application date： Feb. 28, 2008
Publication date： Sep. 10, 2009
Summary：
【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハwが搬入され、検査、処理されるチャンバ11と、ウェーハwの所定位置に電子ビーム14を照射する機構15、16と、電子ビーム14の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構17と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ11内に供給するガス供給機構18と、チャンバ11内の圧力を制御して排気するガス排出機構19を備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数の開口部が形成されたウェーハを搬入し、検査および処理を行うためのチャンバと、 前記ウェーハの所定位置に電子ビームを照射する機構と、 前記電子ビームの照射により、前記複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構と、 前記電子ビームの照射により前記残渣を有する開口部内で活性化されるプロセスガスを、前記チャンバ内に供給するガス供給機構と、 前記チャンバ内の圧力を制御して排気するガス排出機構を備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (6)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/306 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302
FI (8)：
H01L21/66 J ,  H01L21/302 102 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/30 502V ,  H01L21/30 502W ,  H01L21/66 C ,  H01L21/302 201B
F-Term (45)：
2H096AA25 ,  2H096LA06 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA12 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  4M106DH53 ,  4M106DH55 ,  5F004AA14 ,  5F004BB01 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA05 ,  5F004CB05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB30 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004EB05 ,  5F157AA64 ,  5F157AA76 ,  5F157AA91 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BG04 ,  5F157BG33 ,  5F157BG58 ,  5F157CF20 ,  5F157CF42 ,  5F157CF90 ,  5F157DB02 ,  5F157DB45 ,  5F157DB47
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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