フォトマスクの欠陥修正方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金山聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004146660
Publication number (International publication number)：2005326773
Application date： May. 17, 2004
Publication date： Nov. 24, 2005
Summary：

【課題】レーザー光やイオンビームを用いたフォトマスクの黒欠陥部の修正方法において生じる、ガラス基板ダメージ、ガリウムステイン、リバーベッド、透過率低下等の問題のない修正方法を提供する。【解決手段】フォトマスク上にポジ型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、前記修正すべき領域にアシストガスを吹きつけながら電子線を照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部を露出する工程と、該露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

黒欠陥部を有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記フォトマスク上にポジ型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を形成したフォトマスク基板を走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、前記黒欠陥部の二次電子像を取り込み修正すべき領域を決定する工程と、前記修正すべき領域にアシストガスを吹きつけながら電子線を照射し、修正すべき領域のレジスト部分を除去し黒欠陥部を露出する工程と、該露出した黒欠陥部をエッチング除去する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

IPC (1)：

G03F1/08

FI (1)：

G03F1/08 V

F-Term (5)：

2H095BD04 , 2H095BD14 , 2H095BD32 , 2H095BD35 , 2H095BD39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

マスクの黒欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-005072 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
マスク修正装置の黒欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-173334 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社

Cited by examiner (7)

修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080708 Applicant：富士通株式会社
マスクの黒欠陥修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-005072 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
フォトマスク製造用スポットレジスト剥膜機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-057857 Applicant：凸版印刷株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Electron-beam induced etching of resist with water vapor as the etching medium

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