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J-GLOBAL ID：200903093292097704

半導体力学量センサの製造方法

Inventor： 後藤 吉孝 ,  藤田 真紀子 ,  竹内 幸裕
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995161065
Publication number (International publication number)：1997018015
Application date： Jun. 27, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】新規な手法を用いて、犠牲層エッチングにより梁構造の可動部を形成する際において可動部の基板への固着を防止することができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。【構成】LPCVD法によりシリコン基板1の上に配線(ポリシリコン薄膜)2を成膜する。この際、620°C程度の低温にて行うことにより表面に凹凸部3を形成する。その上に犠牲層としてのシリコン酸化膜を形成するとともに、その上に可動部形成用薄膜としてのポリシリコン薄膜を成膜し、ポリシリコン薄膜の下のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより除去して可動部5を形成する。その結果、薄膜よりなる梁構造の可動部5がシリコン基板1の上方に所定の間隔を隔てて配置される。エッチング液との置換液が可動部5と基板との間に入り可動部5が基板に引っ張られるが、凹凸部3により可動部5の固着が回避される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置され、力学量の作用により変位する、薄膜よりなる梁構造の可動部とを備えた半導体力学量センサの製造方法であって、平坦な半導体基板の表面に、少なくとも前記半導体基板と可動部との間隔が最も小さくなる領域に凹凸部を有する下地用膜を形成する第1工程と、前記下地用膜の上に犠牲層を形成するとともに、その犠牲層の上に可動部形成用薄膜を成膜する第2工程と、前記可動部形成用薄膜の下の犠牲層をエッチングにより除去して梁構造の可動部を形成する第3工程とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/125

FI (2)：

H01L 29/84 A ,  G01P 15/125

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-286165
  
• 振動式トランスデューサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-298761   Applicant：横河電機株式会社