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J-GLOBAL ID：200903093316928530

半導体発光素子

Inventor： 上田 吉裕 ,  湯浅 貴之 ,  小河 淳 ,  津田 有三 ,  荒木 正浩
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000270988
Publication number (International publication number)：2001148544
Application date： Sep. 07, 2000
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 レーザを構成する結晶の特性を向上させるためにSiドープGaN膜を厚膜化することによって伝搬層から光閉じ込めを行うクラッド層へ漏れた光が基板とクラッド層の間に多重モードの伝搬光を発生させることを抑制する。【解決手段】 n-GaN層103の上に成長抑制膜104を形成し、成長抑制膜104の形成されていない部分からInGaN再成長層105を形成することによって、基板界面から伝搬する転位を減少させ、その上に作成した発光素子の特性を向上させる。

Claim (excerpt)：

基板と、窒素化合物半導体層と、窒素化合物半導体層表面の一部に形成された成長抑制膜と、再成長層と活性層を有する半導体発光素子において、再成長層は窒素化合物半導体層と成長抑制膜の上に形成され、Inを含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311518   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-228912   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-035638   Applicant：シャープ株式会社