窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997311518
Publication number (International publication number)：1999135832
Application date： Oct. 26, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】素子特性及び製造効率を向上させること。【解決手段】シリコン基板1の上にはAl0.15Ga0.85N から成る層5が形成され、この層5上に、GaN から成る層6が形成されている。層5と層6とで第3の層が構成される。層6上には、SiO2から成る膜厚約2000Åの第1の層2がストライプ状又は格子状に形成されている。第1の層2の上部領域A及び層6の露出部B上にGaN から成る第2の層3を成長させる。このとき、GaN は、層6の露出部BのGaN を核として、面に垂直方向に成長する。そして、第1の層2の上部領域Aでは、層6の露出部B上に成長したGaN を核として、GaN が横方向にエピタキシャル成長する。このように、GaN がGaN を核として縦方向にも横方向にもエピタキシャル成長するので、第1の層2の上部領域Aである横方向成長領域では無転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ることができる。

Claim (excerpt)：

シリコン(Si)基板と、前記シリコン基板上に、シリコンの露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成され、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第1の層と、前記第1の層で覆われていないシリコンの露出部を核として、エピタキシャル成長させ、前記第1の層の上部では、横方向にエピタキシャル成長させることで形成された窒化ガリウム(GaN) 系化合物半導体から成る第2の層とを備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (21)

エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198305 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-075005 Applicant：株式会社日立製作所
半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-065141 Applicant：三菱電線工業株式会社

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