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J-GLOBAL ID：200903093332758318

半導体装置の製造方法

Inventor：
山下 敦子

About 山下 敦子


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995012411
Publication number (International publication number)：1996203887
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】半導体装置の多層配線工程中の層間絶縁膜形成工程にリフロー絶縁膜形成技術を採用した場合に得られるリフロー絶縁膜の比誘電率を高くし、平坦性に優れた層間絶縁膜を平坦化工程を行うことなく低コストで実現する。【構成】半導体基板を収容した反応室内に、Si-H基を有する芳香族化合物もしくは複素環式化合物とH2 O2 とを導入し、665Pa以下の真空中、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内で互いに反応させ、半導体基板上にSi-H基によりリフローが促進された平坦性が良好な中間反応生成物を得る工程と、得られた中間反応生成物が脱水反応を生じるように熱処理を行うことにより、リフロー形状を有し、網目構造を有する誘電率が低いシリコン系酸化膜を得る工程とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板を収容した反応室内に、Si-H基を有する芳香族化合物もしくは複素環式化合物とH2 O2 とを導入し、665Pa以下の真空中、-10°C以上+10°C以下の温度範囲内で互いに反応させ、上記半導体基板上にSi-H基によりリフローが促進された平坦性が良好な中間反応生成物を得る工程と、上記工程により得られた中間反応生成物が脱水反応を生じるように熱処理を行うことにより、リフロー形状を有し、網目構造を有する誘電率が低いシリコン系酸化膜を得る工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 R
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-233211   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-006381   Applicant：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
  • 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-322945   Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-233211   Applicant：川崎製鉄株式会社

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