炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001260217
Publication number (International publication number)：2003069043
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥等の影響によるビルトインポテンシャルの低下を防止できるようにする。【解決手段】 N+型基板1の表面にN-型ドリフト層2を成膜したのち、N-型ドリフト層2の表層部をエッチングして凹部3を形成する。この後、凹部3内を埋め込むように基板表面にP+型層をエピタキシャル成長させたのち、エッチバックを行うことでP+型層を平坦化し、第1、第2ゲート領域4、5を形成する。続いて、N型ソース領域7をエピタキシャル成長させる。このとき、N型ソース領域7が、チャネル領域6の表面から順に不純物濃度が濃くなるようにする。そして、フォトエッチングによりN型ソース領域7の不要部分を除去したのち、層間絶縁膜11の形成工程、コンタクトホール形成工程、第1、第2ゲート電極8、9およびソース電極10の形成工程、ドレイン電極12の形成工程を行う。

Claim (excerpt)：

第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、前記基板(1)上にエピタキシャル成長によって形成され、前記基板(1)よりも低濃度とされた炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層(2)と、前記ドリフト層(2)の表層部に、互いに離間するように形成された複数の凹部(3)と、前記凹部(3)内にエピタキシャル成長され、互いに離間するように形成された炭化珪素からなる第2導電型の第1、第2ゲート領域(4、5)と、前記ドリフト層(2)のうち前記第1、第2ゲート領域(4、5)に挟まれる部分をチャネル領域(6)とすると、該チャネル領域(6)の上にエピタキシャル成長によって形成された炭化珪素からなる第1導電型のソース領域(7)と、前記第1ゲート領域(4)に電気的に接続された第1ゲート電極(8)と、前記第2ゲート領域(5)に電気的に接続された第2ゲート電極(9)と、前記ソース領域(7)に電気的に接続されたソース電極(10)と、前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(12)とが備えられていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/80 , H01L 21/337 , H01L 29/808

FI (2)：

H01L 29/80 V , H01L 29/80 C

F-Term (9)：

5F102GB04 , 5F102GC05 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭58-108775
縦形接合形電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-165007 Applicant：株式会社豊田中央研究所
特開昭59-052882

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