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J-GLOBAL ID：200903093364319901

固体作像装置、放射線作像装置、及び非晶質シリコン作像装置に耐湿障壁を作成する方法

Inventor： ロバート・フォーレスト・クワスニック ,  チン-イェウ・ウェイ ,  ジャック・ディーン・キングズレイ
Applicant, Patent owner： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Agent (1)： 生沼 徳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098316
Publication number (International publication number)：1995055947
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 a-Si部品を湿気のような環境条件から保護することのできる放射線作像装置を提供する。【構成】 放射線作像装置100が、非晶質シリコン光センサ配列120とシンチレータ180との間に配設されている光センサ障壁層150を含んでいる。障壁層150は2つの層152、156を含んでおり、第1の層152は、光センサ配列120の上側導電層136の上に配設されている酸化シリコンであり、第2の層156は、第1の層152の上に配設されている窒化シリコンである。光センサ障壁層150は、その下方にある上側導電層136の形状と実質的に一致した形状を有していると共に、約3ミクロンの最大の厚さを有している。酸化シリコン及び窒化シリコンは、シリコン源ガスとしてテトラエトキシシラン(TEOS)を用いて、約250°C未満の温度で気相成長法で沈積されている。

Claim (excerpt)：

実質的にその上に設けられている上側導電層を有している光センサ配列と、前記上側導電層の上に設けられている窒化シリコンを含んでおり、その下方にある前記導電層と一致した形状を有していると共に約3μm未満の最大の厚さを有している光センサ配列障壁層と、該光センサ配列障壁層の上に設けられていると共に、該障壁層を介して前記光センサ配列に光学的に結合されているシンチレータとを備えた固体作像装置。

IPC (3)：

G01T 1/20 ,  G01J 1/02 ,  H01L 27/146

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-063886
  
• サセプタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-310602   Applicant：東芝セラミツクス株式会社
• 特表平5-502764