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J-GLOBAL ID：200903093415103437

シリカ系多孔質膜およびその製造方法

Inventor： 山田 紀子 ,  高橋 徹 ,  佐近 正 ,  松崎 洋市 ,  野上 敦嗣
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998368016
Publication number (International publication number)：2000077399
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子用層間絶縁膜などに適用可能な低誘電率のシリカ系多孔質膜およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 シロキサン骨格を含む三次元網目構造が、SiO4四面体の架橋酸素の少なくとも1個以上を有機基で置換した四面体を表面および骨格内部に含み、かつ、その四面体を含む骨格で周囲を直接囲まれた平均径10nm以下の微細な空隙を有するシリカ系多孔質膜によって解決される。

Claim (excerpt)：

シロキサン骨格を含む三次元網目構造が、SiO4四面体の架橋酸素の少なくとも1個以上を有機基で置換した四面体を表面および骨格内部に含み、かつ、その四面体を含む骨格で周囲を直接囲まれた平均径10nm以下の微細な空隙を有することを特徴とするシリカ系多孔質膜。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09J183/04

FI (5)：

H01L 21/316 H ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04 ,  C09J183/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 酸化膜材料、珪素酸化膜の形成方法および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-286533   Applicant：株式会社東芝
• シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-167346   Applicant：日立化成工業株式会社