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J-GLOBAL ID：200903078142840469

酸化膜材料、珪素酸化膜の形成方法および半導体素子

Inventor： 御子柴 智 ,  早瀬 修二 ,  中野 義彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997286533
Publication number (International publication number)：1998287746
Application date： Oct. 20, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 誘電率が低く自由体積の大きい珪素酸化膜を形成し得る酸化膜材料を提供する。【解決手段】 下記一般式(1A)、(1B)および(1C)のいずれかで表わされる繰り返し単位を有する酸化膜材料である。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は、250°C以上の温度で脱離する置換基であり、R2 は250°C以上の温度で脱離しない置換基である。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1A)、(1B)または(1C)で表わされる繰り返し単位を有することを特徴とする酸化膜材料。【化1】(上記一般式中、R1 は、250°C以上の温度で脱離する置換基であり、R2 は、250°C以上で脱離しない置換基である。)

IPC (4)：

C08G 77/04 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (4)：

C08G 77/04 ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体装置の絶縁膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331690   Applicant：川崎製鉄株式会社
• シリカ含有セラミックコーティングの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-172968   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 特開昭63-107122
  
• シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-200584   Applicant：東燃株式会社

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の絶縁膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331690   Applicant：川崎製鉄株式会社
• シリカ含有セラミックコーティングの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-172968   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 特開昭63-107122
  
• 特開昭63-107122
  
• シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-200584   Applicant：東燃株式会社