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J-GLOBAL ID：200903093482509308

半導体基板上に薄膜を成長させる方法および装置

Inventor： 鎌 倉 孝 信 ,  土 屋 憲 彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299551
Publication number (International publication number)：1995153692
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 1μm以下の極めて薄いヘテロエピタキシャル成長において、成長条件を制御することにより高精度で薄膜を成長させる。【構成】 半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる膜成長工程と、前記成長させつつある薄膜にX線を入射させるX線入射工程と、前記X線の入射に伴って前記成長中の薄膜から放出される螢光X線を計測する計測工程と、前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜の成長条件を制御する制御工程とを備えることを特徴とする、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に半導体の薄膜を成長させる膜成長工程と、前記成長させつつある薄膜にX線を入射させるX線入射工程と、前記X線の入射に伴って前記成長中の薄膜から放出される螢光X線を計測する計測工程と、前記計測工程における計測値に基づいて前記薄膜の成長条件を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする、半導体基板上に薄膜を成長させる方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  G01N 23/223 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• X線分析装置及びこれを用いた半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-095144   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-319676