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J-GLOBAL ID：200903093536732342

半導体発光素子、光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置

Inventor： 岩本 浩治 ,  長崎 洋樹 ,  松永 勝一郎 ,  平田 照二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237089
Publication number (International publication number)：1999087831
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光効率の向上、動作電流の低減および素子の信頼性の向上を図ることができ、しかも、容易に製造することができる半導体発光素子、ならびに、そのような半導体発光素子を光源として用いた光ピックアップ装置ならびに光記録および/または再生装置を提供する。【解決手段】 AlGaInP系半導体レーザにおいて、n型GaAs基板1上に、n型GaAs基板1に対して2.0×10-4以上3.0×10-3以下の格子不整合を有するn型(Alx1Ga1-x1)1-y1Iny1Pクラッド層2、(Alx2Ga1-x2)1-y2Iny2P光導波層3、Ga1-z Inz P量子井戸層4aと(Alx2Ga1-x2)1-y2Iny2P障壁層4bとからなるMQW構造の活性層4、(Alx2Ga1-x2)1-y2Iny2P光導波層5およびp型(Alx1Ga1-x1)1-y1Iny1Pクラッド層6を順次積層して設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に活性層をp型クラッド層とn型クラッド層とにより挟んだ構造を有する半導体発光素子において、上記p型クラッド層および上記n型クラッド層のうち少なくとも一方が、上記半導体基体に対して2.0×10-4以上3.0×10-3以下または-1.5×10-3以上-2.0×10-4以下の格子不整合を有することを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-317385
  
• 半導体発光装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-024294   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-317385