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J-GLOBAL ID：200903049472370132

半導体発光装置の製造方法

Inventor：
干野 哲朗

About 干野 哲朗


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996024294
Publication number (International publication number)：1997219566
Application date： Feb. 09, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 n型GaAs基板が用いられる半導体発光装置において、その破断面の表面性の向上をはかって、信頼性が高く、歩留りの高い半導体発光装置を得ることができるようにする。【解決手段】 n型GaAs基板21上に、少なくとも第1のクラッド層3と、活性層4と、第2のクラッド層5とによる積層半導体層をエピタキシャル成長する工程と、上記GaAs基板21上に、上記積層半導体層が形成された半導体ウエーファを破断する工程とを採って目的とする半導体発光装置を得るものであり、特に、そのn型GaAs基板のn型ドーパントの濃度を、5.0×1018cm-3以上の濃度に選定する。
Claim (excerpt)：
n型GaAs基板上に、少なくとも第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラッド層とによる積層半導体層をエピタキシャル成長する工程と、上記GaAs基板上に、上記積層半導体層が形成された半導体ウエファを破断する工程とを有し、上記n型GaAs基板のn型ドーパントの濃度を、5.0×1018cm-3以上の濃度に選定したことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体発光素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036479   Applicant：シャープ株式会社
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-065822   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314702   Applicant：富士通株式会社
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