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J-GLOBAL ID：200903093560253455

微結晶炭化珪素薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたピエゾ抵抗体

Inventor： 幡井 崇 ,  阪井 淳 ,  北川 雅俊
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社 ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996038008
Publication number (International publication number)：1997228055
Application date： Feb. 26, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】原料ガスとして一般的な半導体用材料ガスを用い且つ比較的低い基板温度で微結晶炭化珪素薄膜を成膜できる微結晶炭化珪素薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 原料ガスとしてSiH4 ,CH4 を、希釈ガスとしてH2 を、ガス導入口IG を介してプラズマ生成室1aに導入した。プラズマ生成室1aで発生したプラズマにより薄膜を成膜する際に、反応室1b内の基板支持台4上に保持された基板10に対して周波数可変の交流電源ACから、マッチングボックス3を介して、周波数が略1〔kHz〕乃至略500〔kHz〕の範囲内でパワー密度を略0.09W/cm2 乃至略0.22W/cm2 の交流バイアス電圧を印加した。

Claim (excerpt)：

電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD法による薄膜の製造方法であって、原料ガスとして水素化珪素ガス及び水素化炭素ガスを用いるとともに希釈ガスとして水素ガスを用い、基板に対して交流バイアス電圧を印加し、前記各ガスをプラズマ生成室に導入し電子サイクロトロン共鳴により発生させたプラズマによって前記基板の主表面上に微結晶炭化珪素薄膜を成膜することを特徴とする微結晶炭化珪素薄膜の製造方法。

IPC (7)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/32 ,  C30B 29/36 ,  G01D 5/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/84 ,  G01B 7/16

FI (7)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/32 ,  C30B 29/36 A ,  G01D 5/18 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/84 A ,  G01B 7/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-277775
  
• 特開平4-056769
  
• 特開平1-298165
  
• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-217601   Applicant：株式会社島津製作所
• 特開平1-253289