炭化けい素半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997100026
Publication number (International publication number)：1998294471
Application date： Apr. 17, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明の課題は、炭化けい素を高耐圧静電誘導トランジスタに適用するにあたり、高ゲート耐圧,高製造歩留りを実現できるソース,ゲート構造及びその製造方法を提供することである。【解決手段】炭化けい素静電誘導トランジスタにおいて、半導体基体の表面にn型ソース領域4と一部重なるよう、p型ゲート領域3を形成する。【効果】ソース領域とゲート領域の合わせ精度が不要となり、かつ炭化けい素によりゲート耐圧を高耐圧にできるので、製造歩留りが大幅に向上する。

Claim (excerpt)：

炭化けい素半導体基体が、第1導電型のドリフト領域と、前記炭化けい素半導体基体の表面から内部に伸び、前記ドリフト領域と隣接し、かつ前記ドリフト領域よりも不純物濃度が高い、第1導電型のソース領域および第2導電型のゲート領域と、を備え、前記ドリフト領域にはドレイン電極が電気的に接続され、前記ソース領域にはソース電極が接触し、前記ゲート領域にはゲート電極が接触し、前記ソース領域と前記ゲート領域とが接触することを特徴とする炭化けい素半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/80 , H01L 29/74

FI (2)：

H01L 29/80 V , H01L 29/74 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭51-028765
特開平4-107819
炭化けい素半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-240773 Applicant：富士電機株式会社

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