MOSトランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997151113
Publication number (International publication number)：1998340862
Application date： Jun. 09, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】高融点金属膜でなるゲート電極を有するMOSトランジスタの製造に当たり工程数の削減をはかる。【解決手段】層間絶縁膜11にソースコンタクト開口17A、ドレインコンタクト開口18A及びゲートコンタクト開口14Aを設け、水素プラズマ処理を行ってゲート引き出し電極9表面の酸化物層10を除去する。

Claim (excerpt)：

表面部にソース領域及びドレイン領域を有する半導体基板上に高融点金属膜でなるゲート電極とこれを延長したゲート引き出し電極を形成し、層間絶縁膜を形成し前記ソース領域、ドレイン領域及びゲート引き出し電極にそれぞれ達するソースコンタクト開口、ドレインコンタクト開口及びゲートコンタクト開口を形成する工程と、前記ゲートコンタクト開口に露出したゲート引き出し電極表面の酸化物層を水素処理もしくは水素プラズマ処理により還元した後ソース配線、ドレイン配線及びゲート配線を形成する工程とを有することを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 , H01L 21/768 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/28 A , H01L 21/90 C , H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

バリアメタルの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-236387 Applicant：ソニー株式会社
特開昭56-150866
特開昭62-224077

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