Pat

J-GLOBAL ID：200903093616010852

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 酒井 忠司 ,  鈴木 健聡 ,  張 利 ,  小野 富男 ,  村上 泰淳
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995063745
Publication number (International publication number)：1996148280
Application date： Mar. 23, 1995
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】従来よりも機械的強度および発光強度が高い多孔質シリコン発光素子を提供すること。【構成】不純物濃度が1×1019cm-3以上、1×1021cm-3以下、表面に膜厚0.02μm以上、10μm以下の熱酸化膜が形成されたp++型熱酸化多孔質シリコン層22と、このp++型熱酸化多孔質シリコン層22に設けられたITO電極23とを備えている。

Claim (excerpt)：

不純物濃度が1×1019cm-3以上、1×1021cm-3以下で、多数の細孔を有する多孔質シリコン層と、この多孔質シリコン層の前記細孔の内部を含めた表面に形成され、膜厚が0.01μm以上、10μm以下の熱酸化膜と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 微細構造発光素子作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-083174   Applicant：日本電気株式会社