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J-GLOBAL ID:200903093658290472
半導体装置および半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
岡田 英彦
, 福田 鉄男
, 犬飼 達彦
, 石岡 隆
, 服部 光芳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005137494
Publication number (International publication number):2006318980
Application date: May. 10, 2005
Publication date: Nov. 24, 2006
Summary:
【課題】 簡単な構成で、少なくともクラックの進展を遅らせることのできる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置18は、ケース10の内側に銅複合材放熱板30(放熱板)を配置し、当該銅複合材放熱板30上にセラミックス絶縁基板26(絶縁基板)を接合しかつ当該基板26の周縁の一部に対応した位置でエポキシ樹脂22(接着剤)を用いて接着し、セラミックス絶縁基板26上の配線層27に半導体チップ16を搭載し、半導体チップ16やセラミックス絶縁基板26等の間で所要の結線を行い、ケース10の内側をシリコンゲル20(ゲル材)で封止する。このようにセラミックス絶縁基板26の周縁の一部に対応した位置でも接着を行うので、簡単な構成で少なくともクラックの進展を遅らせることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
ケースに放熱板が装着され、当該放熱板上に絶縁基板が面で接合され、当該絶縁基板上に接合された配線層に半導体チップが搭載され、当該半導体チップと絶縁基板上の当該配線層および外部接続端子の間で所要の結線が行われることで、当該絶縁基板と配線層と半導体チップがケースの内側に配置される構成とした半導体装置であって、
絶縁基板の周縁の少なくとも一部に対応する位置で接着剤を用いて放熱板と絶縁基板が接着され、
放熱板,絶縁基板,半導体チップおよび外部接続端子を覆うようにケースの内側がゲル材で封止されている構成とした半導体装置。
IPC (4):
H01L 23/12
, H01L 23/28
, H01L 25/18
, H01L 25/04
FI (3):
H01L23/12 J
, H01L23/28 L
, H01L25/04 Z
F-Term (6):
4M109AA01
, 4M109CA02
, 4M109DB09
, 4M109EA10
, 4M109EC06
, 4M109GA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-226128
Applicant:株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-164141
Applicant:三菱電機株式会社
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