Pat

J-GLOBAL ID：200903093671073952

半導体素子・集積回路装置

Inventor： 中村 秀 ,  横塚 俊亮 ,  江川 秀光 ,  米倉 由里 ,  青木 利一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994117187
Publication number (International publication number)：1995326691
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜からなる保護膜と封止樹脂との間にポリイミド樹脂薄膜を有する半導体素子・集積回路装置。【効果】上記フッ素樹脂製の保護膜上にポリイミド樹脂薄膜を形成したため、封止樹脂のフッ素樹脂保護膜への濡れ性が改善され、両者間の接着性が高められる。その結果、電気特性、信頼性に優れた半導体素子・集積回路装置がきわめて良好な歩留りで得られる。

Claim (excerpt)：

半導体素子・集積回路装置に用いられる含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜からなる保護膜と封止樹脂との間にポリイミド樹脂薄膜を有することを特徴とする半導体素子・集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-068140
  
• 特開昭56-049530
  
• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-242080   Applicant：富士通株式会社