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J-GLOBAL ID：200903093698301256

化合物半導体の結晶成長方法及び化合物半導体装置

Inventor： 高橋 幸司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999077040
Publication number (International publication number)：2000049104
Application date： Mar. 23, 1999
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 相分離することなく、GaAsNの良質の単結晶を得る。また、GaAsNを用いたデバイスの特性を向上させる。【解決手段】 ミシビリティギャップ組成のGaAsN混晶の成長において、Ga供給→窒化→Ga供給→砒化のサイクルを繰り返しながら成長を行う。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板の上にV族元素として窒素と窒素以外のV族元素とを両方含むIII-V族化合物半導体の結晶成長を行う化合物半導体の結晶成長方法において、窒素原料と、窒素以外のV族元素原料とを、それぞれ同時に供給しないことを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 E ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• III-V族化合物半導体の積層超格子構造及びそれを用いた発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-051454   Applicant：酒井士郎, シャープ株式会社
• 特開平2-166723
  
• 半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-011484   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-166723