III-V族化合物半導体の積層超格子構造及びそれを用いた発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051454
Publication number (International publication number)：1995263744
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】現在の結晶成長技術では得ることのできない高混晶比の窒化物以外のIII-V族化合物半導体とIII族-窒素化合物半導体の混晶と同じバンドギャップを得ることのできる、窒化物以外のIII-V族化合物半導体とIII族-窒素化合物半導体積層構造を提供することを目的とする。【構成】 Al、Ga、及びInからなるIII族原子群から選択されたIII族原子と、P、As、及びSbからなるV族原子群から選択されたV族原子と、窒素原子とで構成されるIII-V族化合物半導体の積層構造であって、前記III族原子と前記V族原子とを1原子層ずつ積層した第1単原子層と、前記III族原子と前記窒素原子とを1原子層ずつ積層した第2単原子層とを規則的に積層してなるIII-V族化合物半導体の積層超格子構造を提供するものである。

Claim (excerpt)：

Al、Ga、及びInからなるIII族原子群から選択されたIII族原子と、P、As、及びSbからなるV族原子群から選択されたV族原子と、窒素原子と、で構成されるIII-V族化合物半導体の積層構造であって、前記III族原子と前記V族原子とを1原子層ずつ積層した第1単原子層と、前記III族原子と前記窒素原子とを1原子層ずつ積層した第2単原子層と、を規則的に積層してなることを特徴とするIII-V族化合物半導体の積層超格子構造。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭61-088573
特開平2-303068
特開平3-079088

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