Pat
J-GLOBAL ID：200903093716226704

光起電力装置及びその製造方法

Inventor：
丸山 英治

About 丸山 英治


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 藤田 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998100573
Publication number (International publication number)：1999284213
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：
【要約】【課題】 太陽電池間の逆接合領域の特性が改善されたコスト低減効果の高い積層型太陽電池構造の光起電力装置を提供する。【解決手段】 pin型太陽電池を少なくとも2個以上直列に積層した積層型の光起電力装置であって、異なる導電型半導体層が隣接する逆接合領域aのp型半導体層13とn型半導体層12との界面部分に、p型,n型両者のドーパントを、共に逆接合領域aのp型半導体層13,n型半導体層12のドーパントよりも高濃度に含んだ高濃度ドーパント介在層31aを介在させる。
Claim (excerpt)：
pin型太陽電池を少なくとも2個以上直列に積層した積層型の光起電力装置であって、異なる導電型半導体層が隣接する逆接合領域のp型半導体層とn型半導体層との界面部分に、p型,n型両者のドーパントを、共に前記逆接合領域のp型半導体層,n型半導体層のドーパントの濃度よりも高濃度に含んだ層が介在することを特徴とする光起電力装置。
FI (2)：
H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 V
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM