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J-GLOBAL ID：200903093743600600

半導体ガスセンサ

Inventor： 杉村 真理子
Applicant, Patent owner： エフアイエス株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070907
Publication number (International publication number)：1999271255
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】雰囲気中の温度・湿度依存性が小さく且つ高濃度ガス経験や無通電放置による特性変化が小さく、通電経時安定性に優れた半導体ガスセンサを提供する。【解決手段】アルミナ基板1の裏面の金電極2A,2B間には酸化ルテニウムからなるヒータ3を形成し、アルミナ基板1の表面の金電極4A,4B間に形成した酸化錫を主成分とする感応部6にパラジウムと酸化セリウムを含有させた。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体よりなる感応部に電気抵抗測定用の一対の電極を設けた半導体ガスセンサであって、感応部は、酸化錫を主成分とし、副成分として少なくとも酸化セリウムを含有することを特徴とする半導体ガスセンサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 厚膜ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-227662   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭59-142445
  
• 特開昭59-142445