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J-GLOBAL ID：200903093775187151

電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 斎藤 慎一 ,  新井 唯 ,  久本 大 ,  土屋 龍太 ,  福田 宏 ,  尾内 享裕
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (2)： 作田 康夫 ,  井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004266169
Publication number (International publication number)：2005210063
Application date： Sep. 14, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】現在の技術をもって容易に実現できる方法によって、数V程度のゲート電圧を印加する事によって室温で動作するモット・トランジスタ、および、その製造方法を提供する。【解決手段】自己組織化ナノ粒子列15をチャネル部に用いる事で、室温で動作するモット・トランジスタを提供する。我々の用いるナノ粒子は、金属と有機分子とから構成されており、その大きさは数nm程度と大変小さいため、そのチャージング・エネルギーは熱エネルギーkBT=26meVよりも十分大きく、室温で動作が可能である。また、数nm程度の大きさのナノ粒子が自己組織的に並べられ、面密度1012cm-2程度の電子数の変化でモット転移を引起す事ができるため数V程度のゲート電圧で動作する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、一対のソース・ドレイン電極と、チャネル部とを有し、 前記チャネル部は、金属または半導体で構成された粒子と前記粒子を覆う有機分子とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (7)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L51/00

FI (8)：

H01L29/78 618B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

F-Term (35)：

5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F048CB01 ,  5F048CB04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ナノスケールのモット転移分子電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-257801   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション