Pat
J-GLOBAL ID：200903093797519190

半導体装置

Inventor：
高野 忠夫

About 高野 忠夫


Applicant, Patent owner：
日本インター株式会社

About 日本インター株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992357648
Publication number (International publication number)：1995254718
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 順方向電圧降下を小さくした新規な構造のダイオードを得ること。【構成】 エピタキシャル層2の表面に選択的に形成した第2導電型の領域2と、第1導電型であって不純物濃度が、前記エピタキシャル層2よりも高く、かつ、前記第2導電型の互いに領域2間に形成したオーム接触領域8と、前記第2導電型の領域3とオーム接触領域8とを短絡するダイオードの一方の極性の電極金属5との構成により、同期整流のように複雑な構成によらず、また、現在のSBDの持つ順電圧降下以下の値での順電圧を持つ素子を、縦型二重拡散型MOSFETのような複雑な製造工程を経ることなく得られる。
Claim (excerpt)：
第1導電型のシリコン基板の一方の主面上に形成した該第1導電型と同一導電型のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層の表面に選択的に形成した第2導電型の領域と、第1導電型であって不純物濃度が、前記エピタキシャル層よりも高く、かつ、前記第2導電型の互いに領域間に形成したオーム接触領域と、前記第2導電型の領域と前記オーム接触領域とを短絡するダイオードの一方の極性となる電極金属と、前記シリコン基板の他方の主面にダイオードの他方の極性となる電極金属と、を有することを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/91 C ,  H01L 29/91 K
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開昭56-037683
  • 特開昭60-074582
  • 特開昭59-143370
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM