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J-GLOBAL ID：200903093937985553

ナノ樹木状構造物の作製装置

Inventor： 長谷川 明 ,  三石 和貴 ,  古屋 一夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003352941
Publication number (International publication number)：2005116986
Application date： Oct. 10, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【目的】 新規なナノメートルサイズの樹木状構造物を作製する。【構成】 真空容器内部に配置される絶縁体基板と、ガス導入用のノズルと、電子線の照射手段と、磁場によるその収束の手段とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空容器内部に配置される絶縁体基板と、ガス導入用のノズルと、電子線の照射手段と、磁場によるその収束の手段とを備えたナノ構造物の作製装置であって、真空容器内の絶縁体基板の表面付近に、構造物の原料となる元素を含んだガスをノズルから導入しながら、収束電子線を照射し、ナノメートルサイズの樹木状構造物を絶縁体基板の表面上に形成させることを特徴とするナノ樹木状構造物の作製装置。

IPC (2)：

H01L29/06 ,  C23C16/50

FI (2)：

H01L29/06 601N ,  C23C16/50

F-Term (7)：

4K030AA12 ,  4K030BA20 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA12 ,  4K030LA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• シリサイド膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213474   Applicant：三菱重工業株式会社
• 特開昭64-053410
  
• 特開昭62-093380
  
• 特開昭64-053410
  
• 特開昭62-093380