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J-GLOBAL ID：200903093960053145

半導体装置とその製造方法

Inventor： 西岡 泰城 ,  田中 剛 ,  朴 慶浩 ,  奥野 泰利
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994123871
Publication number (International publication number)：1995335747
Application date： Jun. 06, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置内に形成された金属配線間の容量を低減し、且つ、リーク電流を防止することで、半導体装置の高速動作を可能とする。【構成】 半導体装置の配線間の静電容量を減少させる空隙(3)とリーク電流防止用酸化膜(8)を金属配線相互間の溝部に設けることとした。

Claim (excerpt)：

半導体装置の多層配線構造であって、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された複数の第1の導電手段と、この導電手段及び導電手段相互の間の溝部を覆う絶縁膜と、該溝部に位置する空隙と、前記第1の導電手段の上に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された第2の導電手段とを含む多層配線構造の半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-070160
  
• 特開昭63-098134
  
• 特開昭63-318752
  
• 特開平4-354175
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-243065   Applicant：松下電子工業株式会社