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J-GLOBAL ID：200903093995846296

エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor： 松原 秀樹 ,  高岸 成典 ,  三浦 祥紀 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995018707
Publication number (International publication number)：1996188498
Application date： Jan. 10, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高性能のエピタキシャルウェハ、およびそれを低コストで工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 面方位が(111)B面から微傾斜させた面を有するGaAs基板と、基板の当該面上に形成されたGaNからなるバッファ層と、バッファ層上に形成されたGaNまたはGaInNを含むエピタキシャル層とを備える。バッファ層およびエピタキシャル層は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により形成される。

Claim (excerpt)：

面方位が(111)B面から微傾斜させた面を有するGaAs基板と、前記基板の前記面上に形成されたGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたGaNまたはGaInNを含むエピタキシャル層とを備える、エピタキシャルウェハ。

IPC (6)：

C30B 29/40 ,  C30B 25/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-088318
  
• 窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-320804   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭62-088318