真空を維持するための微結晶粒ゲッタ層を有するマイクロデバイス組立体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：桑垣衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005518872
Publication number (International publication number)：2006521688
Application date： Feb. 05, 2004
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

デバイス・マイクロ構造体(22)と、ハウジング(30)と、微結晶粒ゲッタ層(40)とを備えるマイクロデバイス組立体(20)に関する。ハウジング(30)は基体部分(32)と、蓋(34)とを有する。デバイス・マイクロ構造体(22)は基体部分(32)に取付けられ、蓋(34)は基体部分(32)に気密封止される。ハウジング(30)は、デバイス・マイクロ構造体(22)の周囲のキャビティ(38)を区画形成する。微結晶粒ゲッタ層(40)は、デバイス・マイクロ構造体(22)の周囲のキャビティ(38)における真空を維持するために蓋(34)の内側面(42)上にある。蓋(34)は金属で作製されてもよく、少なくとも微結晶粒ゲッタ層(40)が付着される領域には金属表面を有してもよい。微結晶粒ゲッタ層(40)は、サブミクロンの結晶粒度を有する。マイクロデバイス組立体(20)を作製する方法も提供する。

Claim (excerpt)：

デバイス・マイクロ構造体と、デバイス・マイクロ構造体が取付けられた基体部分および基体部分を気密封止する蓋を有し、かつデバイス・マイクロ構造体の周囲のキャビティを区画形成するハウジングと、デバイス・マイクロ構造体の周囲のキャビティにおける真空を維持するために蓋の内側面に堆積された微結晶粒ゲッタ層とを備えるマイクロデバイス組立体。

IPC (4)：

H01L 23/26 , H01L 29/84 , G01C 19/56 , G01P 9/04

FI (4)：

H01L23/26 , H01L29/84 Z , G01C19/56 , G01P9/04

F-Term (16)：

2F105BB20 , 2F105CC04 , 2F105CD01 , 2F105CD05 , 2F105CD13 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA31 , 4M112CA33 , 4M112DA08 , 4M112DA13 , 4M112DA18 , 4M112EA11 , 4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

欧州特許第0720260号明細書
米国特許第6,016,034号明細書
米国特許第4,771,214号明細書

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Cited by examiner (1)

半導体慣性センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-319606 Applicant：三菱マテリアル株式会社

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