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J-GLOBAL ID：200903094038403265

イオン窒化プラズマCVD法による硬質膜の形成方法

Inventor： 石井 芳朗 ,  玉本 圭司
Applicant, Patent owner： 株式会社ライムズ ,  住友金属鉱山株式会社 ,  日本電子工業株式会社 ,  日本コーティングセンター株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993285951
Publication number (International publication number)：1995118850
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 09, 1995
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVD法により形成する被膜の密着性、耐久性の向上。【構成】金属部材を所定の温度に保持し、アンモニアガスと水素ガス等の雰囲気下で適正な電流密度でイオン窒化処理を行う。このイオン窒化処理面にプラズマCVD法により硬質膜を形成する。【効果】金属部材の表面粗度をほとんど変化させることなく、厚い拡散層を形成することができるので、この上にプラズマCVD法により形成される硬質膜は高い密着性や耐久性を有する。複雑な表面形状や、表面に細密な溝等を有する金属部材に対しても表面全体に高密着性や高耐久性の硬質被膜を均一に形成することができる。

Claim (excerpt)：

金属部材を300〜650°Cの温度に保持し、アンモニアガスと水素ガスを用い、金属部材の表面に対して0.001〜2.0mA/cm2の電流密度のグロー放電を行い金属部材の表面をイオン窒化した後、該イオン窒化処理面の上にプラズマCVD法により硬質膜を形成することを特徴とするイオン窒化プラズマCVD法による硬質膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/02 ,  C23C 8/36 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 金属窒化物被膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-295586   Applicant：株式会社ライムズ
• 特開昭55-031139
  
• 特開昭55-032969